、單向可控硅芯片
二
、
雙向可控硅芯片
三、高壓單向可控硅芯片
四 、
高壓雙向可控硅芯片
五、三象限雙向可控硅芯片
六、四象限雙向可控硅芯片
七、高壓單向軟啟動可控硅芯片
八、門極靈敏型可控硅芯片
九
、電焊機專用可控硅芯片
十
、壓接式高壓單向可控硅芯片
一、單向可控硅芯片
|
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫范圍
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
|
2.4*2.4
|
8
|
800
|
≤20
|
≤1.50
|
90
|
200
|
30
|
1.45
|
≤30
|
-40～125
|
|
2.9*2.9
|
12
|
800
|
≤25
|
≤1.50
|
130
|
200
|
40
|
1.45
|
≤35
|
-40～125
|
|
3.2*3.2
|
16
|
800
|
≤30
|
≤1.50
|
175
|
500
|
40
|
1.45
|
≤40
|
-40～125
|
|
3.9*3.9
|
25
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
275
|
500
|
40
|
1.45
|
≤50
|
-40～125
|
|
4.4*4.4
|
30
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
330
|
500
|
400
|
1.45
|
≤50
|
-40～125
|
|
6.4*6.4
|
55
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
460
|
500
|
40
|
1.45
|
≤50
|
-40～125
|
|
6.2*7.3
|
30
|
1600
|
≤35
|
≤1.50
|
520
|
800
|
50
|
1.45
|
≤60
|
-40～125
|
注1：ITSM@10ms
。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@3XIT
。
注5：陽面
、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁
。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
|
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
mm
|
|
|
6.8*6.8
|
20
|
1100
|
10-40
|
≤1.50
|
400
|
≥800
|
≥50
|
≤1.30
|
10-80
|
-40～125
|
8.0*8.0
|
綠色+紅色
|
|
7.6*7.6
|
30
|
1100
|
20-50
|
≤1.50
|
600
|
≥800
|
≥50
|
≤1.30
|
20-100
|
-40～125
|
9.0*9.0
|
綠色+紅色
|
|
8.6*8.6
|
40
|
1100
|
20-50
|
≤1.50
|
800
|
≥800
|
≥50
|
≤1.30
|
20-100
|
-40～125
|
10.0*10.0
|
綠色+紅色
|
|
9.6*9.6
|
50
|
1100
|
20-60
|
≤1.50
|
1000
|
≥800
|
≥50
|
≤1.30
|
20-100
|
-40～125
|
11.0*11.0
|
綠色+紅色
|
|
11.5*11.5
|
70
|
1100
|
20-60
|
≤1.50
|
1400
|
≥800
|
≥50
|
≤1.30
|
25-100
|
-40～125
|
13.0*13.0
|
綠色+紅色
|
|
13.8*13.8
|
100
|
1100
|
20-70
|
≤1.50
|
2000
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.30
|
25-150
|
-40～125
|
15.0*15.0
|
綠色+紅色
|
|
15.0*15.0
|
120
|
1100
|
30-70
|
≤1.50
|
2400
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.30
|
30-150
|
-40～125
|
16.0*16.0
|
綠色+紅色
|
|
16.5*16.5
|
150
|
1100
|
30-70
|
≤1.50
|
3000
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.30
|
30-150
|
-40～125
|
18.0*18.0
|
綠色+紅色
|
|
19.1*19.1
|
180
|
1100
|
30-70
|
≤1.50
|
3600
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.30
|
30-150
|
-40～125
|
21.0*21.0
|
綠色+紅色
|
|
21.6*21.6
|
200
|
1100
|
30-70
|
≤1.50
|
4000
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.30
|
30-150
|
-40～125
|
23.0*23.0
|
綠色+紅色
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面
、陰面金屬為銀
，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
注7：本系列產(chǎn)品享受發(fā)明專利（CN1783516A）
。
二 、
雙向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ)
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
mm
|
|
|
7.6*7.6
|
50
|
800～1200
|
10-50
|
30-100
|
≤1.50
|
600
|
1000
|
80
|
≤1.50
|
20-100
|
-40～125
|
9.0*9.0
|
紅色
|
|
9.6*9.6
|
80
|
800～1200
|
15-50
|
30-100
|
≤1.50
|
950
|
1000
|
80
|
≤1.50
|
20-100
|
-40～125
|
11.0*11.0
|
紅色
|
|
11.5*11.5
|
100
|
800～1200
|
15-50
|
30-100
|
≤1.50
|
1300
|
1200
|
100
|
≤1.50
|
20-100
|
-40～125
|
13.0*13.0
|
紅色
|
|
13.8*13.8
|
150
|
800～1200
|
30-60
|
50-120
|
≤1.50
|
1800
|
1200
|
100
|
≤1.50
|
25-150
|
-40～125
|
15.0*15.0
|
紅色
|
|
16.5*16.5
|
200
|
800～1200
|
30-70
|
50-140
|
≤1.50
|
2800
|
1200
|
100
|
≤1.50
|
20-150
|
-40～125
|
18.0*18.0
|
紅色
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面
、陰面金屬為銀
，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
三、高壓單向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
mm
|
|
|
6.8*6.8
|
20
|
1800
|
10-40
|
≤1.50
|
440
|
≥800
|
≥50
|
≤1.50
|
10-80
|
-40～125
|
8.0*8.0
|
白色
|
|
7.6*7.6
|
30
|
1800
|
20-50
|
≤1.50
|
660
|
≥800
|
≥50
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
9.0*9.0
|
白色
|
8.6*8.6
|
40
|
1800
|
20-50
|
≤1.50
|
880
|
≥800
|
≥50
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
10.0*10.0
|
白色
|
9.6*9.6
|
50
|
1800/2000
|
20-60
|
≤1.50
|
1100
|
≥800
|
≥50
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
11.0*11.0
|
白色
|
11.5*11.5
|
70
|
1800/2000
|
20-60
|
≤1.50
|
1550
|
≥800
|
≥50
|
≤1.55
|
25-100
|
-40～125
|
13.0*13.0
|
白色
|
13.8*13.8
|
100
|
1800/2000
|
20-70
|
≤1.50
|
2200
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.55
|
25-150
|
-40～125
|
15.0*15.0
|
白色
|
15.0*15.0
|
120
|
1800/2000
|
30-70
|
≤1.50
|
2600
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.55
|
30-150
|
-40～125
|
16.0*16.0
|
白色
|
|
16.5*16.5
|
150
|
1800/2000
|
30-70
|
≤1.50
|
3300
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.55
|
30-150
|
-40～125
|
18.0*18.0
|
白色
|
19.1*19.1
|
180
|
1800/2000
|
30-70
|
≤1.50
|
4000
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.55
|
30-150
|
-40～125
|
21.0*21.0
|
白色
|
|
21.6*21.6
|
200
|
1800/2000
|
30-70
|
≤1.50
|
4500
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.55
|
-0-150
|
-40～125
|
23.0*23.0
|
白色
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@3XIT。
注5：陽面
、陰面金屬為鈦鎳銀
，陰面金屬可做鋁。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
注7：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN1783516A）
。
四、高壓雙向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ)
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
mm
|
|
|
7.6*7.6
|
25
|
1600/1800
|
20-50
|
30-100
|
≤1.50
|
400
|
1000
|
100
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
9.0*9.0
|
紅色+白色
|
9.6*9.6
|
50
|
1600/1800
|
20-60
|
30-100
|
≤1.50
|
800
|
1000
|
100
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
11.0*11.0
|
紅色+白色
|
11.5*11.5
|
70
|
1600/1800
|
20-60
|
30-100
|
≤1.50
|
1200
|
1200
|
120
|
≤1.55
|
20-100
|
-40～125
|
13.0*13.0
|
紅色+白色
|
13.8*13.8
|
100
|
1600/1800
|
20-70
|
50-120
|
≤1.50
|
1650
|
1200
|
120
|
≤1.55
|
25-150
|
-40～125
|
15.0*15.0
|
紅色+白色
|
|
16.5*16.5
|
150
|
1600/1800
|
30-70
|
50-140
|
≤1.50
|
2500
|
1200
|
120
|
≤1.55
|
20-150
|
-40～125
|
18.0*18.0
|
紅色+白色
|
注1：ITSM@10ms
。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT
。
注5：陽面
、陰面金屬為銀，陰面金屬可做鋁
。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
五、三象限雙向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
|
1.9*1.9
|
2
|
800
|
≤15
|
≤1.50
|
20
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
|
2.1*2.1
|
2
|
800
|
≤15
|
≤1.50
|
20
|
200
|
30
|
≤1.40
|
≤50
|
-40～125
|
|
2.4*2.4
|
4
|
800
|
≤20
|
≤1.50
|
40
|
400
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
|
2.9*2.9
|
6
|
800
|
≤30
|
≤1.50
|
60
|
400
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
3.2*3.2
|
8
|
800
|
≤30
|
≤1.50
|
80
|
500
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
3.5*3.5
|
12
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
120
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
3.9*3.9
|
16
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
160
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
4.4*4.4
|
20
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
200
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
5.5*5.5
|
26
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
260
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
6.2*7.3
|
41
|
800
|
≤35
|
≤1.50
|
420
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
|
6.2*7.3
|
30
|
1600
|
≤35
|
≤1.50
|
320
|
550
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
注1：ITSM@10ms
。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT。
注4：VTM@2XIT
。
注5：陽面金屬層為銀
，陰面金屬層為鋁，也可做銀
。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
六、四象限雙向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
|
門極觸發(fā)電流IGT(Ⅳ)
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
|
1.05*1.05
|
0.5
|
800
|
≤15
|
≤25
|
≤1.50
|
5
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
|
1.3*1.3
|
0.8
|
800
|
≤15
|
≤25
|
≤1.50
|
8
|
200
|
30
|
≤1.40
|
≤50
|
-40～125
|
|
1.5*1.5
|
1
|
800
|
≤15
|
≤25
|
≤1.50
|
10
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
|
1.6*1.6
|
1
|
800
|
≤15
|
≤25
|
≤1.50
|
10
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
1.9*1.9
|
2
|
800
|
≤15
|
≤50
|
≤1.50
|
20
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
2.1*2.1
|
2
|
800
|
≤15
|
≤50
|
≤1.50
|
20
|
200
|
30
|
≤1.50
|
≤50
|
-40～125
|
2.4*2.4
|
4
|
800
|
≤20
|
≤50
|
≤1.50
|
40
|
200
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
2.9*2.9
|
6
|
800
|
≤25
|
≤50
|
≤1.50
|
60
|
400
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
3.2*3.2
|
8
|
800
|
≤25
|
≤50
|
≤1.50
|
80
|
400
|
40
|
≤1.50
|
≤60
|
-40～125
|
3.5*3.5
|
12
|
800
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
120
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
|
3.9*3.9
|
16
|
800
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
160
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
4.4*4.4
|
20
|
800
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
200
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
|
5.5*5.5
|
26
|
800
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
260
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
|
6.2*7.3
|
41
|
800
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
420
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
|
6.2*7.3
|
30
|
1600
|
≤35
|
≤100
|
≤1.50
|
320
|
500
|
50
|
≤1.50
|
≤120
|
-40～125
|
注1：ITSM@10ms
。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@2XIT。
注5：陽面金屬為銀
，陰面金屬為鋁
，也可做銀。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
七、高壓單向軟啟動可控硅芯片
裸片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
斷態(tài)臨界電壓上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
V/us
|
A/us
|
mm
|
|
|
11.5*11.5
|
70
|
1600/1800
|
≥800
|
200
|
13.0*13.0
|
白色
|
|
13.8*13.8
|
100
|
1600/1800
|
≥1000
|
200
|
15.0*15.0
|
白色
|
|
15.0*15.0
|
120
|
1600/1800
|
≥1000
|
200
|
16.0*16.0
|
白色
|
16.5*16.5
|
150
|
1600/1800
|
≥1000
|
200
|
18.0*18.0
|
白色
|
|
19.1*19.1
|
180
|
1600/1800
|
≥1000
|
200
|
21.0*21.0
|
白色
|
|
21.6*21.6
|
200
|
1600/1800
|
≥1000
|
200
|
23.0*23.0
|
白色
|
注1：di/dt@125℃@2XIT
。其它電參數(shù)與HSCRXXA-XX同電流規(guī)格相同
。
注2：HSCRXXA-XX同電流規(guī)格參數(shù)。
注3：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN104347686A）
。
八、門極靈敏型單向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電壓臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫范圍
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
V
|
mA
|
℃
|
|
0.9*0.9
|
0.5
|
600/800
|
10-80
|
≤0.80
|
5
|
≥10
|
≤1.80
|
≤5
|
-40～110
|
|
1.05*1.05
|
0.8
|
600/800
|
10-80
|
≤0.80
|
5
|
≥10
|
≤1.80
|
≤5
|
-40～110
|
|
1.5*1.5
|
2.0
|
600/800
|
10-80
|
≤0.80
|
20
|
≥10
|
≤1.80
|
≤5
|
-40～110
|
|
1.8*1.8
|
3.5
|
600/800
|
10-80
|
≤0.80
|
36
|
≥15
|
≤1.80
|
≤5
|
-40～110
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@110℃@2/3VDRM
。
注3：VTM@3XIT。
注4：陽面金屬為銀，陰面金屬為鋁
，適用鍵合工藝
。
注5：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
九、電焊機專用可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
管芯尺寸
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
mm
|
|
|
9.6*9.6
|
50
|
600
|
20-60
|
≤1.50
|
1000
|
≥50
|
1.25
|
20-100
|
-40～125
|
11.0*11.0
|
綠色
|
|
11.5*11.5
|
70
|
600
|
20-80
|
≤1.50
|
1400
|
≥50
|
1.25
|
25-100
|
-40～125
|
13.0*13.0
|
綠色
|
|
13.8*13.8
|
100
|
600
|
20-80
|
≤1.50
|
2000
|
≥100
|
1.25
|
25-150
|
-40～125
|
15.0*15.0
|
綠色
|
|
15.0*15.0
|
120
|
600
|
30-80
|
≤1.50
|
2400
|
≥100
|
1.25
|
30-150
|
-40～125
|
16.0*16.0
|
綠色
|
|
16.5*16.5
|
150
|
600
|
30-80
|
≤1.50
|
3000
|
≥100
|
1.25
|
30-150
|
-40～125
|
18.0*18.0
|
綠色
|
|
19.1*19.1
|
180
|
600
|
30-80
|
≤1.50
|
3600
|
≥100
|
1.25
|
30-150
|
-40～125
|
21.0*21.0
|
綠色
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@3XIT
。
注5：陽面、陰面金屬為銀
，陰面金屬可做鋁
。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制。
注7：本系列產(chǎn)品享有發(fā)明專利（CN1783516A）
。
十、壓接式高壓單向可控硅芯片
芯片尺寸
|
正向電流
|
斷態(tài)/反向重復(fù)峰值電壓
|
門極觸發(fā)電流
|
門極觸發(fā)電壓
|
通態(tài)最大浪涌電流
|
斷態(tài)臨界電壓上升率
|
通態(tài)電流臨界上升率
|
通態(tài)峰值壓降
|
維持電流
|
結(jié)溫
|
保護膠顏色
|
|
mm
|
A
|
V
|
mA
|
V
|
A
|
V/us
|
A/us
|
V
|
mA
|
℃
|
|
|
?26
|
150
|
1600/1800
|
40-60
|
≤1.50
|
440
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.60
|
40-150
|
-40～125
|
白色
|
?30
|
200
|
1600/1800
|
40-60
|
≤1.50
|
660
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.60
|
40-150
|
-40～125
|
白色
|
?35
|
300
|
1600/1800
|
40-60
|
≤1.50
|
880
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.70
|
40-150
|
-40～125
|
白色
|
?40
|
500
|
1600/1800
|
40-60
|
≤1.50
|
1100
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.80
|
40-150
|
-40～125
|
白色
|
?45
|
800
|
1600/1800
|
40-60
|
≤1.50
|
1550
|
≥1000
|
≥100
|
≤1.80
|
40-150
|
-40～125
|
白色
|
注1：ITSM@10ms。
注2：dv/dt@125℃@2/3VDRM
。
注3：di/dt@125℃@2XIT
。
注4：VTM@3XIT。
注5：芯片金屬為正鋁背銀
。
注6：產(chǎn)品參數(shù)及規(guī)格可根據(jù)客戶要求定制
。
皖公安備34102402000141